
霍尔传感器是一种基于霍尔效应的磁电转换器件,广泛应用于工业自动化、汽车电子、消费电子等领域。其核心原理源于1879年美国物理学家埃德温·霍尔发现的“霍尔效应”。当电流通过导体或半导体材料时,若在垂直方向施加磁场,则会在材料两侧产生一个与磁场强度成正比的电压差,这一现象即为霍尔效应。
在霍尔传感器中,通常使用半导体材料(如砷化镓、硅等)作为霍尔元件。当通电的半导体处于磁场中时,载流子(电子或空穴)会受到洛伦兹力的作用而发生偏转,从而在材料横向形成电势差。这个电势差被称为霍尔电压,其大小可表示为:
V_H = (R_H × I × B) / d
其中:
根据工作方式和输出信号的不同,霍尔传感器主要分为以下几类:
霍尔传感器因其非接触、高可靠性、寿命长等优点,在多个领域得到广泛应用:
优势:
局限性:
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